个人简介

吴丽娟，女，博士，教授。2005年于四川大学取得通信与信息系统的硕士学位。2012于电子科技大学取得微电子学与固体电子学的博士学位。2014年7月至今在九州平台-九州(中国)物理与电子科学学院工作。主持国家自然科学基金项目、湖南省自然科学基金面上项目、湖南省教育厅项目、横向项目等20余项。以第一作者发表A类期刊论文40余篇，SCI论文50余篇；出版国家“十三五”科学技术专著丛书1部；申请发明专利20余项。

主要研究领域

功率半导体器件与功率集成电路，集成电路设计与制造，微电子系统设计封装与测试。

教学情况

在本科生及研究生教育教学工作中系统开设了6门课程，包括本科生教学的 4门主干专业课，分别是《固体物理与半导体物理》、《半导体物理》、《微电子器件基础》、《微电子工艺学》，以及研究生教学的2门专业基础课：《半导体功率器件》、《集成电路工艺基础》。主持省级教改-重点项目，共培养硕士研究生50余人。教学注重渔鱼兼受，立德树人，牵头获校级研究生教育教学成果二等奖和研究生思政教学比赛三等奖，多次荣获优秀教师、优秀班主任、阳光园丁等荣誉。

代表性论文（只列近五年且为第一作者的论文）

(1)Lijuan Wu*,Deqiang Yang et al. A novel 4H-SiC IGBT with double gate PMOS for improving the switch controllability and FBSOA [J]. Microelectronics Journal，2024，147：106187.

(2)Wu, Lijuan*, Guanglin Yang, Deqiang Yang, Zigui Tu, Jie Yuan, Dongsheng Zhao, Mengjiao Liu, and Jiahui Liang. Self-Clamped P-Shield 4H-SiC Trench MOSFET for Low Turn-off Loss and Suppress Switching Oscillation [J]. Microelectronics Journal，2024，151: 106307.

(3)Lijuan Wu*; Jiahui Liang; Mengyuan Zhang; Mengjiao Liu; Tengfei Zhang; Gang Yang; Xuanting Song ; An approach for extracting the SiC/SiO2 SiC MOSFET interface trap distribution and study during short circuit, Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 163: 107581- 107588.

(4)Lijuan Wu; Gang Yang; Mengjiao Liu; Jiahui Liang; Mengyuan Zhang; Tengfei Zhang ; Multidimensional accumulation gate LDMOS with ultra-low specific on-resistance, Microelectronics Journal, 2023, 138(1): 105860-105868.

(5)Lijuan Wu, Mengyuan Zhang, Jiahui Liang, Mengjiao Liu, Tengfei Zhangand Gang Yang.2023. "A Low-Loss 1.2 kV SiC MOSFET with Improved UIS Performance" Micromachines 14, no. 5: 1061. https://doi.org/10.3390/mi14051061.

(6)Lijuan Wu*, Mengjiao Liu, Mengyuan Zhang, et.al. Low On-State Voltage and EMI Noise 4H-SiC IGBT With Self-Biased Split-Gate pMOS. IEEE Transaction on Electron Device, 2023, 70(2): 647-652.

(7)Lijuan Wu*, Xuanting Song, Banghui Zhang, et.al. Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel. .IEEE Transaction on Electron Device 2023, 70(1): 185-190.

(8)Lijuan Wu*, Tao Qiu, Xuanting Song, et al. Analytical model for high-k SOI pLDMOS with self-adaptive balance of polarization charge. Microelectronics Journal, 2023, 132: 105677.

(9)Lijuan Wu*, Banghui Zhang, Gaoqiang Deng, et al. A Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor with Embedded Self-biased N-Type Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor. Journal of Electronic Materials, 2023: 1-8.

(10)Lijuan Wu*,Xing Chen, Jinsheng Zeng, et al. Novel Accumulation Mode Superjunction Device With Extended Superjunction Gate. IEEE Transaction on Electron Device, 2022,69(5):2560-2565.

(11)Lijuan Wu*,Jinsheng Zeng, et al. Analytical Model and Mechanism of a Linear Extended Gate for Lateral Internal Superjunction Power Devices. Silicon, 2022.

(12)Lijuan Wu*,Heng Liu, et al. 4H-SiC Trench IGBT with Controllable Hole-Extracting Path for Low Loss. Chinese PhySiCs B, 2022.

(13)Lijuan Wu*,Wu, H., Zeng, J. et al. A Novel LDMOS with Ultralow Specific on-Resistance and Improved Switching Performance. Silicon ,2021.

(14)Lijuan Wu*, Chen J , H Yang, et al. A Ultra-Low Specific On-Resistance and Extended Gate SJ LDMOS Structure. Transactions on Electrical and Electronic Materials, 2021(5).

(15)Lijuan Wu*, Ding Q , Chen J . Improved Deep Trench Super-junction LDMOS Breakdown Voltage By Shielded Silicon-Insulator-Silicon Capacitor. Silicon, 2020(3).

(16)Lijuan Wu*, Huang Y , Song Y , et al. Novel High-K SOI LDMOS with N + Buried Layer. IETE Technical Review, 2020:1-6.

(17)Lijuan Wu*, Zhu L, Chen X, Variable-K double trenches SOI LDMOS with high-concentration P-pillar. Chinese PhySiCs B, 2020, 29(5).

培养的研究生去向

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司（1人）；长鑫存储技术有限公司（2人）；长江存储科技有限责任公司（3人）；京东方科技集团股份有限公司（1人）；上海华虹宏力微电子有限公司（1人）；基本半导体（深圳）有限公司（1人）；重庆华润微电子有限公司（3人）；广州朗国科技有限公司（1人）；华诺星空技术股份有限公司（1人）；湖南株洲中车集团（3人）；湖南大学电气与信息工程学院（2人）；湖南比亚迪半导体股份有限公司（1人）；飞腾信息技术有限公司（1人）；湖南三安半导体有限公司（3人）；中国电子科技集团公司第四十八研究所（1人）；湖南楚微半导体科技有限公司（3人）；湖南泰克天润有限公司（1人）；长沙景嘉微电子股份有限公司（2人）。

联系方式

E-mail: 305719669@qq.com

通讯地址：九州平台-九州(中国)(云塘校区)物理与电子科学学院理科楼B408